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文章詳情
igbt模塊使用中的注意事項
日期：2025-07-12 07:44
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摘要：
在igbt模塊使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。
1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。
2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。
3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。
