產品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達林頓）
- 東芝復合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應模塊
- IR可控硅
文章詳情
igbt模塊使用過程中的介紹
日期：2025-07-12 07:44
瀏覽次數：991
摘要：
IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發射極。
1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態。
2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態。
3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態。
