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新聞詳情
IGBT模塊：現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心
日期：2025-04-30 15:31
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摘要：
IGBT模塊：現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心
一、IGBT模塊的結構與工作原理
IGBT 模塊通常由多個 IGBT 芯片、續(xù)流二極管、驅動電路、保護電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結構，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個電極。
IGBT 的工作原理可以簡單理解為通過柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導通與關斷。當柵極施加正向電壓時，MOS 結構形成導電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導通；當柵極電壓為零或負壓時，導電溝道消失，IGBT 關斷。
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IGBT模塊：現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心
一、IGBT模塊的結構與工作原理
IGBT模塊通常由多個 IGBT 芯片、續(xù)流二極管、驅動電路、保護電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結構，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個電極。
IGBT 的工作原理可以簡單理解為通過柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導通與關斷。當柵極施加正向電壓時，MOS 結構形成導電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導通；當柵極電壓為零或負壓時，導電溝道消失，IGBT 關斷。
二、IGBT模塊的優(yōu)勢
高輸入阻抗，低驅動功率： IGBT 的柵極采用 MOS 結構，輸入阻抗高，驅動功率小，簡化了驅動電路設計。
低導通壓降，高電流密度： IGBT 繼承了 BJT 的低導通壓降特性，能夠承受較高的電流密度，降低導通損耗。
高開關頻率，低開關損耗： IGBT 的開關速度比 BJT 快，開關損耗低，適用于高頻應用場合。
模塊化設計，易于安裝維護： IGBT 模塊將多個芯片和電路集成在一起，結構緊湊，便于安裝和維護。
