igbt模塊結構原理

日期：2025-06-16 10:40

瀏覽次數：544

摘要： igbt模塊結構原理動態特性 igbt模塊動態特性又稱開關特性，igbt的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。 igbt模塊的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時，由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on) 可用下式表示：： Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——...

igbt模塊結構原理
動態特性

igbt模塊動態特性又稱開關特性，igbt的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。

igbt模塊的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時，由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on) 可用下式表示：：

Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。

通態電流Ids 可用下式表示：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos ——流過MOSFET 的電流。

尊敬的客戶：

本公司還有英飛凌igbt、西門康IGBT模塊、英飛凌igbt模塊等產品，您可以通過網頁撥打本公司的服務電話了解更多產品的詳細信息，至善至美的服務是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品，我們將竭誠為您服務！

下一篇：西門康IGBT模塊的使用注意事項
上一篇：英飛凌模塊的主要特性

京公網安備 11010502035422號