產品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達林頓）
- 東芝復合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應模塊
- IR可控硅
新聞詳情
英飛凌模塊的發展
日期：2025-06-14 03:37
瀏覽次數：564
摘要： 英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們為高壓功率半導體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數敏感的應用的領域得到率先應用。業界一致認為電動車充電樁與光伏發電是兩個比較典型的急需從傳統的Si器件升級到SiC器件的應用。英飛凌一直在不斷開發碳化硅前沿的技術，產品以及解決方案，致力于滿足用戶對節能，提升效率、縮減尺寸、系統集成和提高可靠性的需求。
新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結構，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新...
英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們為高壓功率半導體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數敏感的應用的領域得到率先應用。業界一致認為電動車充電樁與光伏發電是兩個比較典型的急需從傳統的Si器件升級到SiC器件的應用。英飛凌一直在不斷開發碳化硅前沿的技術，產品以及解決方案，致力于滿足用戶對節能，提升效率、縮減尺寸、系統集成和提高可靠性的需求。
新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結構，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新興技術主管MarkMünzer表示：“隨著SiC器件價格的大幅下降，SiC解決方案的商業化將加速，從而使SiC技術被廣泛應用于提升電動車的續航里程。”
