igbt模塊的組成

日期：2025-04-30 23:02

瀏覽次數(shù)：1022

摘要：igbt模塊的組成動(dòng)態(tài)特性 igbt模塊動(dòng)態(tài)特性又稱(chēng)開(kāi)關(guān)特性，igbt的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度，主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。 igbt模塊的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：： Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴(kuò)展...

igbt模塊的組成

動(dòng)態(tài)特性

igbt模塊動(dòng)態(tài)特性又稱(chēng)開(kāi)關(guān)特性，igbt的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度，主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。

igbt模塊的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：

Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴(kuò)展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。

通態(tài)電流Ids 可用下式表示：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos ——流過(guò)MOSFET 的電流。

尊敬的客戶(hù)：

本公司還有英飛凌igbt、西門(mén)康IGBT模塊、英飛凌igbt模塊等產(chǎn)品，您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話(huà)了解更多產(chǎn)品的詳細(xì)信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶(hù)放心選購(gòu)自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！

下一篇： IGBT模塊在薄膜電容分容機(jī)中的應(yīng)用實(shí)例分析
上一篇：西門(mén)康IGBT模塊的安裝與更換事項(xiàng)

京公網(wǎng)安備 11010502035422號(hào)