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新聞詳情
IGBT模塊發熱的原因分析
日期：2025-07-17 21:26
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摘要：
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產生功率損耗即內損耗，內損耗引起發熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內損耗大小、芯片到環境的傳熱結構、材料和器件冷卻方式以及環境溫度等有關。當發熱和散熱相等時，器件達到穩定溫升，處于均衡狀態，即穩態。器件的芯片溫度不論在穩態，還是在瞬態，都不允許超過器件允許工作溫度，即IGBT結溫，否則，將引起器件電或熱的不穩定而導致器件失效。
IGBT模塊發熱，效率低解決方法
1、減小柵極電阻，可加快開關器件通斷，減小開關損耗從而降低溫度，但不要太...
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產生功率損耗即內損耗，內損耗引起發熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內損耗大小、芯片到環境的傳熱結構、材料和器件冷卻方式以及環境溫度等有關。當發熱和散熱相等時，器件達到穩定溫升，處于均衡狀態，即穩態。器件的芯片溫度不論在穩態，還是在瞬態，都不允許超過器件允許工作溫度，即IGBT結溫，否則，將引起器件電或熱的不穩定而導致器件失效。
IGBT模塊發熱，效率低解決方法
1、減小柵極電阻，可加快開關器件通斷，減小開關損耗從而降低溫度，但不要太小 具體需要調試
2、加適當阻容吸收電路
3、檢查硅膠涂抹、即散熱片、風扇等問題。
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